5月11日下午，兰州金川科技园有限公司高纯事业部经理杨晓艳等一行到我校重点实验室针对联合申报的甘肃省科技重大专项听取汇报交流。我校重点实验室、材料学院相关师生参加了本次会议，会议由国家重点实验室副主任喇培清教授主持。

会上，杨晓艳经理转达了金川科技园领导对该项目的重视和大力支持、对学校项目参与师生的感谢和问候，希望项目顺利完成，尽早投产。占发琦博士向金川科技园高纯事业部领导汇报了“半导体芯片用高纯钒材料制备技术开发”的研究进展，目前研发的高纯钒主要杂质为非金属P，其余均已达标，杂质P的污染主要来源于电子束熔炼炉的交叉污染。喇培清教授进一步总结了项目进展的关键突破，强调了项目技术方案的成熟性、先进性和成果指标的可达性。高纯事业部领导对此给予了充分的认可，并表示金川科技园全力配合项目推进，双方深入讨论确定了下一步研究计划，期望进一步加快研发进度和产业化进程。

本次会议体现了双方精诚合作、严谨务实的科研态度和企业精神，加强了学校产学研深度融合。（撰稿：占发琦， 审核：喇培清）